BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
НОВА часть #:
312-2287831-BSC265N10LSFGATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC265N10LSFGATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-1 | |
| Базовый номер продукта | BSC265 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.5A (Ta), 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 43µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1600 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 78W (Tc) | |
| Другие имена | SP000379618 BSC265N10LSFGATMA1TR BSC265N10LSFGATMA1CT BSC265N10LSFGATMA1DKR BSC265N10LSF G-ND BSC265N10LSF G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CSD18504Q5ATexas Instruments
NTMFS034N15MConsemi
MAX31855KASA+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
BSC440N10NS3GATMA1Infineon Technologies
DMT10H015LPS-13Diodes Incorporated
PI3USB302-AZBEXDiodes Incorporated
LAN7800/VSXMicrochip Technology
HD3SS3220IRNHRTexas Instruments
