ISZ0804NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
НОВА часть #:
312-2268457-ISZ0804NLSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
ISZ0804NLSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8-26 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Ta), 58A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 28µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1600 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 60W (Tc) | |
| Другие имена | 448-ISZ0804NLSATMA1DKR SP005430388 448-ISZ0804NLSATMA1CT 448-ISZ0804NLSATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ISZ0803NLSATMA1Infineon Technologies
