SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
НОВА часть #:
312-2282230-SIA437DJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA437DJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 29.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SIA437 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 29.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 90 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2340 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Другие имена | SIA437DJ-T1-GE3TR SIA437DJ-T1-GE3DKR SIA437DJ-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIA447DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
TL3301AF260QGE-Switch
MCP6072T-E/SNMicrochip Technology
LTST-C190EKTLite-On Inc.- SIA449DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
ECX-.327-CDX-1293ECS Inc.- SIA445EDJT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA461DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- SIA429DJT-T1-GE3Vishay Siliconix
