SIA445EDJT-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Single
Базовый номер продукта	SIA445
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-70-6
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2180 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	19W (Tc)
Другие имена	SIA445EDJT-T1-GE3DKR SIA445EDJT-T1-GE3TR SIA445EDJT-T1-GE3-ND SIA445EDJT-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!