SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
НОВА часть #:
312-2282193-SIA461DJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA461DJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SIA461 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1300 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) | |
| Другие имена | SIA461DJT1GE3 SIA461DJ-T1-GE3CT SIA461DJ-T1-GE3DKR SIA461DJ-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MAX13030EETE+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
SIA431DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
LG L29K-F2J1-24-ZOSRAM Opto Semiconductors Inc.- SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM3J355R,LFToshiba Semiconductor and Storage- SIA437DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
NC7S32P5XFairchild Semiconductor
