SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
НОВА часть #:
312-2284828-SIA449DJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA449DJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SIA449 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2140 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Другие имена | SIA449DJ-T1-GE3DKR SIA449DJT1GE3 SIA449DJ-T1-GE3TR SIA449DJ-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAV21W-7-FDiodes Incorporated
SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix- SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
NTTFS6H850NLTAGonsemi
SQ3495EV-T1_GE3Vishay Siliconix
PI3USB221EZUAEXDiodes Incorporated
ST3485EBDRSTMicroelectronics- SIA471DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA440DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
MCP6541T-I/LTMicrochip Technology- SIA437DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon Technologies
