FDD9507L-F085
MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
НОВА часть #:
312-2288543-FDD9507L-F085
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD9507L-F085
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 100A (Tc) 227W (Ta) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252) | |
| Базовый номер продукта | FDD9507 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6250 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Ta) | |
| Другие имена | FDD9507L-F085-ND FDD9507L-F085OSCT FDD9507L-F085OSDKR FDD9507L-F085OSTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IPD90P04P405ATMA1Infineon Technologies
- IPD90P04P4L04ATMA2Infineon Technologies
- IPD90P04P405ATMA2Infineon Technologies
- ATP304-TL-Honsemi
- IPD90P04P4L04ATMA1Infineon Technologies
- NTF6P02T3Gonsemi
- RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor
- RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor
- DMP4010SK3-13Diodes Incorporated
- SQD40031EL_GE3Vishay Siliconix
- SQD40061EL_GE3Vishay Siliconix
- TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage








