IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
НОВА часть #:
312-2282210-IPD90P04P4L04ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD90P04P4L04ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-313 | |
| Базовый номер продукта | IPD90P04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 176 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11570 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | IPD90P04P4L04ATMA1DKR IPD90P04P4L04ATMA1TR IPD90P04P4L04ATMA1CT SP000840194 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD90P04P405ATMA1Infineon Technologies- IPD90P04P4L04ATMA2Infineon Technologies
IPD90P04P405ATMA2Infineon Technologies- IPD90N04S404ATMA1Infineon Technologies
BTN8982TAAUMA1Infineon Technologies
TJ60S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage- BTN8962TAAUMA1Infineon Technologies
ST3485EBDRSTMicroelectronics
IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies- TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- BTS500851TMAATMA1Infineon Technologies
FDD9507L-F085onsemi
