NTF6P02T3G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

НОВА часть #:

312-2280331-NTF6P02T3G

Производитель:

Номер детали производителя:

NTF6P02T3G

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223 (TO-261)
Базовый номер продукта	NTF6P02
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1200 pF @ 16 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	8.3W (Ta)
Другие имена	NTF6P02T3GOS NTF6P02T3GOS-ND NTF6P02T3GOSCT NTF6P02T3GOSTR NTF6P02T3GOSDKR =NTF6P02T3GOSCT-ND