BSO613SPVGXUMA1
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
НОВА часть #:
312-2287869-BSO613SPVGXUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSO613SPVGXUMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-DSO-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSO613 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.44A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.44A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 875 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) | |
| Другие имена | SP005353854 448-BSO613SPVGXUMA1DKR 448-BSO613SPVGXUMA1CT 448-BSO613SPVGXUMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NDS9407onsemi
BSP613PH6327XTSA1Infineon Technologies
DMP6110SFDF-7Diodes Incorporated
DMP6110SSS-13Diodes Incorporated
SQ9407EY-T1_BE3Vishay Siliconix
RSQ015P10TRRohm Semiconductor
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- SQ9407EY-T1_GE3Vishay Siliconix
SI9407BDY-T1-GE3Vishay Siliconix- RSQ015P10HZGTRRohm Semiconductor
MCQ05P10Y-TPMicro Commercial Co
