FDC3535
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
НОВА часть #:
312-2287736-FDC3535
Производитель:
Номер детали производителя:
FDC3535
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SuperSOT™-6 | |
| Базовый номер продукта | FDC3535 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 183mOhm @ 2.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 880 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) | |
| Другие имена | FDC3535DKR FDC3535TR FDC3535CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NCV4266ST50T3Gonsemi
NCV301LSN30T1Gonsemi
2N7002WT1Gonsemi
2N7002W-7-FDiodes Incorporated
FAN7888MXonsemi
FDC5614Ponsemi
NCP718BSN500T1Gonsemi
FDMC86102LZonsemi
ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
BQ76952PFBRTexas Instruments- DMG1013UW-7Diodes Incorporated
FDS8984onsemi
RSQ015P10TRRohm Semiconductor
