FQP2P40-F080
MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
НОВА часть #:
312-2263551-FQP2P40-F080
Производитель:
Номер детали производителя:
FQP2P40-F080
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 400 V 2A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FQP2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 400 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 63W (Tc) | |
| Другие имена | FQP2P40-F080OS FQP2P40_F080 FQP2P40-F080-ND FQP2P40_F080-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQP9P25onsemi
FQD3P50TMonsemi- FQP3P50onsemi
- FQP3P20onsemi
IXTP10P50PIXYS- FQP2N40-F080onsemi