FDMS037N08B
MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2282212-FDMS037N08B
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS037N08B
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 104.2W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS037 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5915 pF @ 37.5 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830mW (Ta), 104.2W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS037N08BCT 2156-FDMS037N08B-OS FDMS037N08BTR ONSONSFDMS037N08B FDMS037N08BDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMS039N08Bonsemi
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
STL120N8F7STMicroelectronics
IRFH5006TRPBFInfineon Technologies