IRFH5006TRPBF
MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2281821-IRFH5006TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFH5006TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | IRFH5006 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 21A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4175 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| Другие имена | IRFH5006TRPBFDKR IRFH5006TRPBFCT IRFH5006TRPBF-ND IRFH5006TRPBFTR SP001560332 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMS037N08Bonsemi
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
RB058LAM-60TFTRRohm Semiconductor
CSD19532Q5BTTexas Instruments
TL6110AF130QPE-Switch
IRLH5030TRPBFInfineon Technologies
MCAC80N10Y-TPMicro Commercial Co- IRLH5034TRPBFInfineon Technologies
FDMS86500DConsemi