TPH4R10ANL,L1Q

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOP Advance (5x5)
Базовый номер продукта	TPH4R10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	U-MOSVIII-H
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	92A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6.3 nF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 67W (Tc)
Другие имена	TPH4R10ANLL1Q

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!