IPD70N10S3L12ATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-11
Базовый номер продукта	IPD70N10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	70A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5550 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Другие имена	IPD70N10S3L-12-ND SP000261250 IPD70N10S3L-12 IPD70N10S3L12ATMA1CT IPD70N10S3L-12DKR-ND IPD70N10S3L-12TR IPD70N10S3L12 IPD70N10S3L-12CT IPD70N10S3L12ATMA1DKR IPD70N10S3L-12DKR IPD70N10S3L-12CT-ND IPD70N10S3L-12TR-ND IPD70N10S3L12ATMA1TR