IPD50N10S3L16ATMA1

MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
НОВА часть #:
312-2288443-IPD50N10S3L16ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD50N10S3L16ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:

N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительInfineon Technologies
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-11
Базовый номер продукта IPD50N10
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядOptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.4V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4180 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
Другие именаIPD50N10S3L16ATMA1CT
IPD50N10S3L-16DKR
IPD50N10S3L-16CT-ND
IPD50N10S3L-16TR-ND
IPD50N10S3L-16
IPD50N10S3L-16TR
IPD50N10S3L16ATMA1DKR
IPD50N10S3L16ATMA1TR
IPD50N10S3L-16DKR-ND
IPD50N10S3L16
SP000386185
IPD50N10S3L-16-ND
IPD50N10S3L-16CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!