RFD16N06LESM9A
MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
НОВА часть #:
312-2273079-RFD16N06LESM9A
Производитель:
Номер детали производителя:
RFD16N06LESM9A
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | RFD16N06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | +10V, -8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 90W (Tc) | |
| Другие имена | RFD16N06LESM9A-ND RFD16N06LESM9ACT RFD16N06LESM9ADKR RFD16N06LESM9ATR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RD3L220SNTL1Rohm Semiconductor
NTD5867NLT4Gonsemi
LM10CWM/NOPBTexas Instruments
FDD9410-F085onsemi
AOD442GAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SMMBT3906LT1Gonsemi
LT1014DDWG4Texas Instruments
LT1006S8#TRPBFAnalog Devices Inc.
DI020N06D1Diotec Semiconductor
3296W-1-504LFBourns Inc.- NVD5117PLT4G-VF01onsemi
DMN6040SK3-13Diodes Incorporated
SQD23N06-31L_GE3Vishay Siliconix
