SQD23N06-31L

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	SQD23
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	23A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	845 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	37W (Tc)
Другие имена	SQD23N06-31L-GE3 SQD23N06-31L_GE3TR SQD23N06-31L_GE3-ND SQD23N06-31L_GE3CT SQD23N06-31L_GE3DKR SQD23N06-31L-GE3-ND