NVD5117PLT4G-VF01

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

НОВА часть #:

312-2282846-NVD5117PLT4G-VF01

Производитель:

Номер детали производителя:

NVD5117PLT4G-VF01

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Базовый номер продукта	NVD5117
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11A (Ta), 61A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4800 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Другие имена	NVD5117PLT4G-VF01TR NVD5117PLT4G-VF01DKR NVD5117PLT4G-VF01CT