TPN19008QM,LQ
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
НОВА часть #:
312-2276107-TPN19008QM,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN19008QM,LQ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Базовый номер продукта | TPN19008 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 34A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 200µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1400 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 630mW (Ta), 57W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TPN19008QMLQTR 264-TPN19008QMLQDKR TPN19008QM,LQ(S 264-TPN19008QMLQCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DSS16UTRSMC Diode Solutions
CSD18534Q5ATTexas Instruments
SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and Storage
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon Technologies
TPN13008NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor Ltd
AL3353S-13Diodes Incorporated
DMP6050SFG-13Diodes Incorporated
TPN11006PL,LQToshiba Semiconductor and Storage
CSD18543Q3ATexas Instruments
SIS128LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
TLV9351IDCKRTexas Instruments
DMTH8012LPS-13Diodes Incorporated
