TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
НОВА часть #:
312-2285394-TPN11006PL,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN11006PL,LQ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Базовый номер продукта | TPN11006 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 200µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1625 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 610mW (Ta), 61W (Tc) | |
| Другие имена | TPN11006PL,LQ(S 264-TPN11006PLLQCT 264-TPN11006PLLQTR 264-TPN11006PLLQDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
150060GS75000Würth Elektronik
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon Technologies
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
BAV21W-7-FDiodes Incorporated
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPN19008QM,LQToshiba Semiconductor and Storage
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SQ2301ES-T1_GE3Vishay Siliconix- 150060RS75000Würth Elektronik
CSD18543Q3ATexas Instruments- TPN7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
TPN11006NL,LQToshiba Semiconductor and Storage