DMTH8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
НОВА часть #:
312-2301228-DMTH8012LPS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMTH8012LPS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 | |
| Базовый номер продукта | DMTH8012 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta), 72A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1949 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.6W (Ta), 136W (Tc) | |
| Другие имена | DMTH8012LPS-13DITR DMTH8012LPS-13DIDKR DMTH8012LPS-13DI DMTH8012LPS-13DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPN19008QM,LQToshiba Semiconductor and Storage