FDWS9508L-F085
MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2282480-FDWS9508L-F085
Производитель:
Номер детали производителя:
FDWS9508L-F085
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDWS9508 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4840 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 214W (Tj) | |
| Другие имена | FDWS9508L-F085OSDKR FDWS9508L-F085OSCT FDWS9508L-F085OSTR FDWS9508L-F085-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD90N10S4L06ATMA1Infineon Technologies
DMN2300U-7Diodes Incorporated
PDS760-13Diodes Incorporated- 2N7002-7-FDiodes Incorporated
SQS415ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
RXM-433-LRLinx Technologies Inc.
SI7155DP-T1-GE3Vishay Siliconix
B3FS-1002POmron Electronics Inc-EMC Div
A5976GLPTR-TAllegro MicroSystems
FDWS9510L-F085onsemi
FDMS4435BZonsemi
USB2514B-I/M2Microchip Technology