DMN2400UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2284291-DMN2400UFB4-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2400UFB4-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN2400 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 750mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 36 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 470mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN2400UFB4-7DITR DMN2400UFB4-7DIDKR DMN2400UFB4-7DICT DMN2400UFB47 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MIC5353-3.3YMT-TRMicrochip Technology
DMP21D5UFB4-7BDiodes Incorporated
DMN2400UFB-7Diodes Incorporated- DMN2320UFB4-7BDiodes Incorporated
TPS2121RUXTTexas Instruments
APHHS1005QBC/DKingbright- DMN2300UFB4-7BDiodes Incorporated
- DMN2450UFB4-7RDiodes Incorporated
