DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
НОВА часть #:
312-2280968-DMN2300UFB4-7B
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2300UFB4-7B
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN2300 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 300mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 64.3 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN2300UFB4-7BDIDKR DMN2300UFB47B DMN2300UFB4-7BDICT DMN2300UFB4-7BDITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NLSV4T240MUTAGonsemi
NCV8163ASN330T1Gonsemi
LSF0102DQERTexas Instruments
DMP210DUFB4-7Diodes Incorporated
APG1005CGC-TKingbright
TCA9802DGKRTexas Instruments- DMP21D0UFB4-7BDiodes Incorporated
ADP165ACPZN-R7Analog Devices Inc.- DMN2500UFB4-7Diodes Incorporated
- DMN2320UFB4-7BDiodes Incorporated
