DMN2450UFB4-7R

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

НОВА часть #:

312-2298191-DMN2450UFB4-7R

Производитель:

Номер детали производителя:

DMN2450UFB4-7R

Стандартный пакет:

3,000

N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	X2-DFN1006-3
Базовый номер продукта	DMN2450
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	1.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	3-XFDFN
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	56 pF @ 16 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	500mW (Ta)