STL7N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
НОВА часть #:
312-2288051-STL7N10F7
Производитель:
Номер детали производителя:
STL7N10F7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 7A (Tj) 2.9W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | STL7 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 920 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.9W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | -497-14990-6 497-14990-1 497-14990-2 -497-14990-1 -497-14990-2 497-14990-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
TPN3300ANH,LQToshiba Semiconductor and Storage
SI7818DN-T1-E3Vishay Siliconix
STL4N10F7STMicroelectronics
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon Technologies- STL30N10F7STMicroelectronics
IRLH5030TRPBFInfineon Technologies
MIC5225YM5-TRMicrochip Technology
LTC6101CIS5#TRMPBFAnalog Devices Inc.
LK112M80TRSTMicroelectronics
BD4960G-TRRohm Semiconductor
CSD19538Q3ATexas Instruments
FDMS86105onsemi
