IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2285416-IRFHM3911TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFHM3911TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (3x3) | |
| Базовый номер продукта | IRFHM3911 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.2A (Ta), 20A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 6.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 35µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 760 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 29W (Tc) | |
| Другие имена | IRFHM3911TRPBF-ND 448-IRFHM3911TRPBFDKR 448-IRFHM3911TRPBFTR SP001575850 448-IRFHM3911TRPBFCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMC3612onsemi
BSC196N10NSGATMA1Infineon Technologies
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies- PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.
- BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon Technologies
ADA4084-1ARJZ-R7Analog Devices Inc.
SI7322ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
1N4148W-TPMicro Commercial Co
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
