ISC0702NLSATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
НОВА часть #:
312-2288449-ISC0702NLSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
ISC0702NLSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 135A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 23A (Ta), 135A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 38µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3500 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 100W (Tc) | |
| Другие имена | 448-ISC0702NLSATMA1TR 448-ISC0702NLSATMA1CT 448-ISC0702NLSATMA1DKR SP005417416 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
- BSZ0702LSATMA1Infineon Technologies
- CSD18540Q5BTexas Instruments
- NVMFS5C638NLT1Gonsemi
- SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
- BSC027N06LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
- DMT6004LPS-13Diodes Incorporated






