DMT6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
НОВА часть #:
312-2281355-DMT6004LPS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT6004LPS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.1W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 | |
| Базовый номер продукта | DMT6004 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22A (Ta), 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 96.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4515 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 105W (Tc) | |
| Другие имена | DMT6004LPS-13DIDKR DMT6004LPS-13DITR DMT6004LPS-13DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ISC0702NLSATMA1Infineon Technologies
DMTH6004LPS-13Diodes Incorporated
FDMS030N06Bonsemi
NVTFS5C471NLWFTAGonsemi
MC14051BDR2Gonsemi
TPS70950DBVRTexas Instruments
ATL431AIDBZRTexas Instruments
CMDZ2L7 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
RK7002BMT116Rohm Semiconductor
