BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
НОВА часть #:
312-2282615-BSC027N06LS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC027N06LS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC027 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 49µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4400 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 83W (Tc) | |
| Другие имена | SP001385616 BSC027N06LS5ATMA1-ND BSC027N06LS5ATMA1CT BSC027N06LS5ATMA1DKR BSC027N06LS5ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN67D8L-7Diodes Incorporated
25SVPF100MPanasonic Electronic Components
LFXTAL081609ReelIQD Frequency Products
MAX3232IPWRTexas Instruments
BSC032N04LSATMA1Infineon Technologies
DFLS1100-7Diodes Incorporated
35SVPF120MPanasonic Electronic Components- BSC065N06LS5ATMA1Infineon Technologies
434153017835Würth Elektronik
