NTJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
НОВА часть #:
312-2284803-NTJS4151PT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTJS4151PT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Базовый номер продукта | NTJS4151 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 850 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | 2156-NTJS4151PT1G-OS ONSONSNTJS4151PT1G NTJS4151PT1GOSTR NTJS4151PT1GOSCT NTJS4151PT1GOS NTJS4151PT1GOS-ND NTJS4151PT1GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTGS3443T1Gonsemi
PMG85XP,115NXP USA Inc.
CPH3350-TL-Wonsemi
S25FL127SABMFV101Cypress Semiconductor Corp
NVJS4151PT1Gonsemi
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
NSL12AWT1Gonsemi- NTJS3157NT1Gonsemi
NTLUS3A40PZTAGonsemi
SI1441EDH-T1-GE3Vishay Siliconix- CPH3348-TL-Wonsemi
FDMC4435BZonsemi- NTGD4167CT1Gonsemi
