NTJS3157NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
НОВА часть #:
312-2290032-NTJS3157NT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTJS3157NT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Базовый номер продукта | NTJS3157 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 500 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | NTJS3157NT1GOSTR 2156-NTJS3157NT1G-OS NTJS3157NT1GOSDKR NTJS3157NT1G-ND NTJS3157NT1GOSCT ONSNTJS3157NT1G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NCP380LSN05AAT1Gonsemi
NL27WZ07DFT2Gonsemi
NCP45560IMNTWG-Lonsemi
NTJD4158CT1Gonsemi
FSA4157L6Xonsemi
NCN8025AMNTXGonsemi
NCP45540IMNTWG-Honsemi- NTJD4152PT1Gonsemi
FDMC86102LZonsemi- NTJS4151PT1Gonsemi
NCP45524IMNTWG-Honsemi
FDY3000NZonsemi
FDG6332Consemi- FDY4000CZonsemi
