FDMC4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
НОВА часть #:
312-2282644-FDMC4435BZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMC4435BZ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | FDMC4435 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.5A (Ta), 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2045 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 31W (Tc) | |
| Другие имена | FSCFDMC4435BZ FDMC4435BZTR FDMC4435BZDKR FDMC4435BZCT 2156-FDMC4435BZ-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon Technologies
NTJD1155LT1Gonsemi
STUSB4500QTRSTMicroelectronics
TLE7250GVIOXUMA2Infineon Technologies
NCP45540IMNTWG-Honsemi
NTJD4152PT1Gonsemi
NCP380HSN05AAT1Gonsemi
TLC5947DAPRTexas Instruments
NCP45560IMNTWG-Honsemi
IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies
BSC060N10NS3GATMA1Infineon Technologies
NCP45520IMNTWG-Honsemi
BTS500551TMAATMA1Infineon Technologies
