SI1441EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
НОВА часть #:
312-2285036-SI1441EDH-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1441EDH-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SI1441 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI1441EDH-T1-GE3CT SI1441EDH-T1-GE3DKR SI1441EDH-T1-GE3-ND SI1441EDH-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDME1024NZTonsemi
MAX17261METD+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
M95512-DFMC6TGSTMicroelectronics
NTJS4151PT1Gonsemi
SI1441EDH-T1-BE3Vishay Siliconix
SI1424EDH-T1-GE3Vishay Siliconix
LTC4006EGN-2#TRPBFAnalog Devices Inc.
