NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
НОВА часть #:
312-2287945-NVMJS2D5N06CLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMJS2D5N06CLTWG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3.9W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-LFPAK | |
| Базовый номер продукта | NVMJS2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 31A (Ta), 164A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 135µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3600 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.9W (Ta), 113W (Tc) | |
| Другие имена | NVMJS2D5N06CLTWGOS-ND NVMJS2D5N06CLTWGOSCT NVMJS2D5N06CLTWGOS NVMJS2D5N06CLTWGOSTR NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMFS5C645NLAFT1Gonsemi
BTS721L1XUMA1Infineon Technologies
NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
TLV1704AIPWRTexas Instruments
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon Technologies
ECS-040-18-5PX-JES-TRECS Inc.
ADR01ARZ-REEL7Analog Devices Inc.
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
LM74800QDRRRQ1Texas Instruments
