BSC026NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
НОВА часть #:
312-2263160-BSC026NE2LS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC026NE2LS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 25 V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC026 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 24A (Ta), 82A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1100 pF @ 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 29W (Tc) | |
| Другие имена | SP001212432 BSC026NE2LS5ATMA1CT BSC026NE2LS5ATMA1TR BSC026NE2LS5ATMA1DKR BSC026NE2LS5ATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon Technologies
BSZ034N04LSATMA1Infineon Technologies
TXS0102DCURTexas Instruments
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
CAT34C02HU4IGT4Aonsemi- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
TLV6700QDSERQ1Texas Instruments
EEH-ZF1V101VPanasonic Electronic Components- BSC026N08NS5ATMA1Infineon Technologies
DS1818R-10+T&RAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
