FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
НОВА часть #:
312-2273042-FDD26AN06A0-F085
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD26AN06A0-F085
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 7A (Ta), 36A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD26AN06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Ta), 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 75W (Tc) | |
| Другие имена | FDD26AN06A0_F085-ND FDD26AN06A0_F085DKR-ND FDD26AN06A0-F085CT FDD26AN06A0_F085DKR FDD26AN06A0_F085CT FDD26AN06A0_F085 FDD26AN06A0-F085TR FDD26AN06A0_F085TR-ND FDD26AN06A0_F085TR FDD26AN06A0_F085CT-ND FDD26AN06A0-F085DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon Technologies
IRFR1205TRPBFInfineon Technologies
STD30NF06LT4STMicroelectronics
SQD23N06-31L_GE3Vishay Siliconix- RFD16N06LESM9Aonsemi
