BSP129H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
НОВА часть #:
312-2279357-BSP129H6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSP129H6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | BSP129 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 350mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 108µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.7 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 240 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 108 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | BSP129H6327XTSA1DKR BSP129H6327XTSA1TR BSP129H6327XTSA1CT SP001058580 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1SS352,H3FToshiba Semiconductor and Storage
BSP149H6327XTSA1Infineon Technologies- BSP88H6327XTSA1Infineon Technologies
G6J-2P-Y DC5Omron Electronics Inc-EMC Div
MBRS1100T3Gonsemi
