STD80N10F7
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
НОВА часть #:
312-2290604-STD80N10F7
Производитель:
Номер детали производителя:
STD80N10F7
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | STD80 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 70A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3100 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 85W (Tc) | |
| Другие имена | 497-14812-2 STD80N10F7-ND 497-14812-6 -497-14812-1 -497-14812-2 -497-14812-6 497-14812-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RD3P08BBDTLRohm Semiconductor
STD85N10F7AGSTMicroelectronics- STD70N10F4STMicroelectronics
