NTMFS5C612NLT1G
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
НОВА часть #:
312-2305269-NTMFS5C612NLT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS5C612NLT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 235A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NTMFS5 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Ta), 235A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6660 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) | |
| Другие имена | ONSONSNTMFS5C612NLT1G 2156-NTMFS5C612NLT1G-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTMFS5C604NLT1Gonsemi
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix- NVMFS5C604NLAFT1Gonsemi
MBRA340T3Gonsemi- NTMFS5C612NLT3Gonsemi
- NTMFS5H600NLT1Gonsemi
BSC016N06NSATMA1Infineon Technologies
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and Storage- NTMFS5C612NT1G-TEonsemi