TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
НОВА часть #:
312-2280941-TPH2R506PL,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH2R506PL,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Базовый номер продукта | TPH2R506 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 30A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5435 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 132W (Tc) | |
| Другие имена | TPH2R506PLL1Q TPH2R506PLL1QDKR TPH2R506PLL1QTR TPH2R506PL,L1Q(M TPH2R506PLL1QCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DRV8701ERGERTexas Instruments
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
CSD18540Q5BTexas Instruments
DRV8323RSRGZTTexas Instruments
STL220N6F7STMicroelectronics
IRFH5006TRPBFInfineon Technologies
