RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
НОВА часть #:
312-2282457-RS1E260ATTB1
Производитель:
Номер детали производителя:
RS1E260ATTB1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-HSOP | |
| Базовый номер продукта | RS1E | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Ta), 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 26A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 175 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7850 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta) | |
| Другие имена | RS1E260ATTB1TR RS1E260ATTB1DKR RS1E260ATTB1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ0905PNSATMA1Infineon Technologies
IPB80P04P4L04ATMA2Infineon Technologies
DMP34M4SPS-13Diodes Incorporated
IRF9383MTRPBFInfineon Technologies
AON6403Alpha & Omega Semiconductor Inc.- NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor Corporation
SIR165DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7137DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon Technologies
RS1E220ATTB1Rohm Semiconductor- DMP3028LPSQ-13Diodes Incorporated