IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
НОВА часть #:
312-2268538-IRF9383MTRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF9383MTRPBF
Стандартный пакет:
4,800
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MX | |
| Базовый номер продукта | IRF9383 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22A (Ta), 160A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MX | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7305 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 113W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IRF9383MTRPBFTR IRF9383MTRPBF-ND 448-IRF9383MTRPBFCT 448-IRF9383MTRPBFDKR SP001565700 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQJ407EP-T1_GE3Vishay Siliconix
MMBT2222AT-7-FDiodes Incorporated
BSZ0905PNSATMA1Infineon Technologies
SI7633DP-T1-GE3Vishay Siliconix
RS1E260ATTB1Rohm Semiconductor
NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage
FDB9503L-F085onsemi
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon Technologies
452404020202Würth Elektronik
SUM110P06-08L-E3Vishay Siliconix
