TSM085P03CV RGG
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
НОВА часть #:
312-2263183-TSM085P03CV RGG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM085P03CV RGG
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 64A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PDFN (3x3) | |
| Базовый номер продукта | TSM085 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 64A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 14A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3234 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tc) | |
| Другие имена | TSM085P03CV RGGCT-ND TSM085P03CV RGGTR TSM085P03CV RGGTR-ND TSM085P03CV RGGCT TSM085P03CV RGGDKR-ND TSM085P03CVRGGDKR TSM085P03CVRGGCT TSM085P03CVRGGTR TSM085P03CV RGGDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
BSZ0905PNSATMA1Infineon Technologies
SN74AUP1G04YFPRTexas Instruments
TLV7041QDCKRQ1Texas Instruments
INA195AQDBVRQ1Texas Instruments
SN74LVC1G02YZPRTexas Instruments
SISH101DN-T1-GE3Vishay Siliconix
AONR21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
NVTFS5124PLWFTAGonsemi