HUF76639S3ST-F085
HUF76639 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
НОВА часть #:
312-2275541-HUF76639S3ST-F085
Производитель:
Номер детали производителя:
HUF76639S3ST-F085
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UltraFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 51A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-HUF76639S3ST-F085-600039 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC0805LSATMA1Infineon Technologies