IXTK120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
НОВА часть #:
312-2278476-IXTK120N65X2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTK120N65X2
Стандартный пакет:
25
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-264 (IXTK) | |
| Базовый номер продукта | IXTK120 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Ultra X2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-264-3, TO-264AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13600 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1250W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- VN7003AHTRSTMicroelectronics
- AP2205-33Y-13Diodes Incorporated
- SQ2348ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
- IXTX120N65X2IXYS
- NRF52832-QFAA-RNordic Semiconductor ASA
- STY139N65M5STMicroelectronics
- LTC4359HMS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
- 150060SS75000Würth Elektronik
- 04023J2R7BBSTRKyocera AVX









