SI2300DS-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта	SI2300
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	320 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Другие имена	SI2300DS-T1-GE3DKR SI2300DS-T1-GE3TR SI2300DST1GE3 SI2300DS-T1-GE3CT