IGLD60R070D1AUMA3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

GANFET N-CH

НОВА часть #:

312-2299765-IGLD60R070D1AUMA3

Производитель:

Номер детали производителя:

IGLD60R070D1AUMA3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-LSON-8-1
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ряд	CoolGaN™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	15A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-LDFN Exposed Pad
VGS (макс.)	-10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	380 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	114W (Tc)
Другие имена	448-IGLD60R070D1AUMA3DKR SP005557209 448-IGLD60R070D1AUMA3CT 448-IGLD60R070D1AUMA3TR